უჩვეულოდ დიდი გამტარობა Ga2O-ის თხელ ფენაში3

ავტორი: თინათინ ცისკარიძე
თანაავტორები: ბაჩანა ბერაძე, ეკატერინე ჩიკოიძე
საკვანძო სიტყვები: მუხტის დიდი კონცენტრაცია, დიდი ძვრადობა, ზედაპირული ველი, სამკუთხა ორმო
ანოტაცია:

წარმოდგენილ ნაშრომში ჩვენ შევეცადეთ აგვეხსნა უჩვეულოდ დიდი გამტარიანობა , რომელიც დაიმზირა Ga2O3 -ის თხელ ფენაში ამ მასალის საკმაოდ ფართო (4.9 eV) აკრძალული ზონის მიუხედავად. თერმოდინამუკური ანალიზი, რომელიც საშუალებას გავძლევს გამოვთვალოთ მუხტის მატარებლების კონცენტრაცია, როგორც სინთეზის პარამეტრების (ტემოპერატურის და ზრდის გარემოში კომპონენტების პარციალური წნევის) ფუნქცია, გვიჩვენებს რომ ასეთი გამტარობის მიღება აღნიშნულ შენაერთში შეუძლებელია. აღნიშნული ექსპერიმენტული შედეგი შესაძლებელია აიხსნას ზედაპირული ელექტრული ველის არსებობით, რომლის გაჩენა, თავის მხრივ, დაკავშირებულია ზედაპირულ დეფექტებთან. ზედაპირული ელექტრული ველი იწვევს ელექტრონების ლოკალიზაციას ზედაპირის მიმდებარე ფენაში და ელექტრონული დონეების დისკრეტიზაციას, რაც იწვევს, ერთი მხრივ, ელექტრონების კონცენტრაციის ეფექტურ ზრდას, მეორე მხრივ, ელექტრონების ძვრადობის ზრდას, რისი შედეგიც უნდა იყოს ექსპერიმენტულად დამზერილი უჩვეულოდ დიდი გამტარობა. ჩვენ მიერ ამოხსნილია შემდეგი ამოცანა: განხილულია უსასრულო სამკუთხა პოტენციური ორმო, რომლიც იქმნება ელექტრული ველით. ამ ორმოში იმყოფებიან ელექტრონები. დადგენილია, რა სახე ექნება ელექტრონებისა და ხვრელების მდგომარეობის ფუნქციას მოცემულ შემთხვევაში, ნაპოვნია მათი განაწილების ალბათობები და ელექტრონული დონეები. გამოთვლები ჩატარებულია ექსპერიმენტზე გაზომილი რეალური ველისთვის. ნაჩვენებია, რომ ამ სიდიდის ველებს მართლაც შეუძლიათ ელექტრონების საკმარისად დიდი ლოკალიზაცია.